Stórt ljósnæmt svæði InGaAs APD

Flísanúmer

LA50

LA80

LA200A

LA200

LA500

LA1000

færibreytu

tákn

eining

Mælingarástand

mín

dæmigerður

hámark

mín

dæmigerður

hámark

mín

dæmigerður

hámark

mín

dæmigerður

hámark

mín

dæmigerður

hámark

mín

dæmigerður

hámark

Þvermál ljósnæmra yfirborðs

φ

μm

-

50

80

200

200

500

1000

Viðbragðsflýti einingarinnar *

R

A/W

λ=1.55μm, P_inn=1μW

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

0.95

1.05

1.10

hagnast

M

-

V_R=V_BR -3V

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

10

13

-

Hámarksávinningur*

M_hámark

-

V_R=V_BR -1V

20

35

-

20

35

-

50

53

-

20

35

-

20

35

-

20

35

-

dimmur straumur

I_D

nA

V_R=V_BR -3V

-

1.5

6.0

-

2.5

10

-

6.0

25

-

6

25

-

15

50

-

30

100

Dökk núverandi hitastuðull

ΔT_auðkenni

sinnum/gráðu

V_R=V_BR -3V

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

-

1.1

-

rýmd

C_t

pF

V_R=V_BR-3V, f=1MHz

-

0.4

0.6

-

0.7

1.1

-

2.0

2.5

-

2.0

2.5

-

10

15

-

30

40

-3dB viðmiðunartíðni

f_C

Ghz

M=10, R_L=50Ω

2.0

2.5

-

1.0

1.8

-

0.4

1.4

-

0.4

1.4

-

0.1

0.3

-

-

-

-

bilunarspenna

V_BR

V

I_D=10μA

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

30

-

80

hitastuðull niðurbrotsspennu

Γ

V/ gráðu

-40 til +85 gráðu

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

-

0.1

0.15

athugasemd

High gain útgáfa

Atriði

Færibreyta/tákn

Metið gildi

Absolute hámarkseinkunn

Geymsluhitastig, T_STG

﹣45 gráður ~﹢125 gráður

(Rekstrar) Umhverfishiti,T_c

﹣45 gráður ~﹢ 85 gráður

Dc öfug forspenna, V_{R hámark}

V_BR

Ljósræn inntaksþéttleiki (10ns púlsljós), Φ_e

200kW% 2fcm% c2% b2

Bakstraumur, I_{R hámark}

2mA

Áfram straumur, I_{F hámark}

10mA

Rafstöðueiginleikar viðkvæmni, ESD

Stærra en eða jafnt og 300V